IBM, 0,7 nm nanostack çipiyle 100 milyar transistörlü yeni dönemi başlattı

IBM, çip teknolojisinde önemli bir atılım gerçekleştirdiğini duyurdu. Şirket, 2021 yılında geliştirdiği 2 nanometre (nm) ölçeğindeki "nanosheet" mimarisi üzerine inşa ettiği yeni "nanostack" tasarımıyla, dünyanın ilk 1 nanometrenin altındaki çipini, yani işleyen 7 angstrom (0.7 nm) çipini üretti. Bu gelişme, çip üretiminde çığır açacak bir yenilik olarak gösteriliyor.

Yeni tasarım sayesinde, önceki 2 nm tasarımına kıyasla iki kat daha yoğun bir silikon parçası ortaya çıktı. İnsan tırnağı büyüklüğündeki bu çipin içinde yaklaşık 100 milyar transistör bulunuyor. IBM, bu ek transistörlerin çipe ya %50’ye varan performans artışı ya da %70’e kadar enerji verimliliği kazandırdığını belirtiyor. IBM Research Direktörü Jay Gambetta, yeni mimarinin "enerji tüketimi artmadan çok daha güçlü hesaplama imkanı sağlayan bir gelecek" vadettiğini ifade etti.

Yeni nanostack mimarisi, mevcut nanosheet transistör teknolojisinin üzerine inşa edildi. Şirket, transistörleri dikey olarak üst üste yerleştirip kaydırarak tasarımı geliştirdi. Şemada görüldüğü üzere, her transistör yaklaşık beş nanometre kalınlığında üç nanosheet elementinden oluşuyor ve bunlar arasında yaklaşık dokuz nanometre boşluk bulunuyor. Her bir nanosheet ise yalnızca 15 sıra silikon atomundan meydana geliyor.

IBM, nanostack çiplerin seri üretimine geçilmesinin yaklaşık beş yıl alacağını tahmin ediyor. Bununla birlikte, yıl başında Japon çip üreticisi Rapidus, mevcut nanosheet teknolojisini ticarileştirmek için iş birliği yaptığı bu şirket, 2027’nin ikinci yarısında 2 nm çipleri ölçekli üretime başlatmayı hedeflediğini açıklamıştı. Bu durum, IBM’in beş yıllık tahmininin biraz iyimser göründüğünü ortaya koyuyor.

Şirket, ticarileştirme planları hakkında ileride daha fazla bilgi paylaşacağını belirtti. Ancak yeni mimarinin, önümüzdeki on yıl boyunca çip üreticilerinin daha güçlü ve verimli silikonlar geliştirmesine olanak sağlayacak bir yol açacağı konusunda kararlı olduğunu vurguladı.

Haberin Editörü: Bade UTKU