İzmir 34°C
© 2026 9SN - Son Dakika Haberleri Saniye de Takip Et
Haber Yazılımı: Aladağ Bilişim

Intel 18A’da “wafer-to-wafer” verim dalgalanması sorunu çözüldü

BlueFin Research Partners’ın notuna göre Intel, 18A sürecinde wafer-to-wafer yield dalgalanmasını giderdi; 1.8nm düğümde tutarlı artış bekleniyor.

Yayınlanma
4 Dk Okuma Süresi

BlueFin Research Partners tarafından paylaşılan bir rapora göre Intel, 18A süreç teknolojisinde “wafer-to-wafer yield variability issues” olarak adlandırılan sorunları çözdü. Raporda yer alan değerlendirme, 18A kullanan ürünlerde wafer-to-wafer düzeyinde daha istikrarlı çıktı elde edilebileceğine işaret ediyor. Ayrıca Intel cephesinde 18A süreciyle ilgili ramp çalışmalarının sürdüğü aktarılıyor.

18A ramp ve “12-15K wpm” hedefi

BlueFin Research Partners notunda, “Intel 18A wafer-to-wafer yield issue resolved; ramp to 12-15K wpm at both sites ongoing,” ifadesine yer verildi. Notta, raporun kaynağının resmi olmayan bir bilgiden gelmesi durumunda bile doğru kabul edilirse, 1.8nm-class node kullanan ürünlerde bundan sonra consistent and predictable yield improvements beklenebileceği belirtildi. Değerlendirmeye göre wafer-to-wafer variability, iyi ve kötü wafer’ların aynı üretim akışında ortaya çıkmasına neden olan bir değişkenlik sorunu olarak tanımlanıyor.

Ancak rapor, wafer-to-wafer değişkenliğinin verim kaybına katkı veren tek etken olmadığına dikkat çekiyor. Bu yüzden düzeltmenin, Intel’in ürünlerde tutarlı biçimde daha iyi verim sağlamasını kolaylaştıracağı ifade edilirken, bunun toplam verimin Intel’in istediği seviyede olacağı anlamına gelmediği vurgulanıyor. Raporda, “die yield”in; defect density, “within-wafer variability”, “wafer-to-wafer variability” ve “packaging yield” gibi birden çok faktör tarafından belirlendiği anlatılıyor.

Raporda ayrıca, gerçek ürünler tarafında parametric yields ve “reliability screening”in birlikte ele alınması gerektiği belirtiliyor. parametric yield için “dies may be defect-free, but they do not meet performance and/or power specifications” ifadesiyle performans ve/veya güç spesifikasyonlarını karşılamayan ama hatasız olabilen die’lere işaret ediliyor; “reliability screening” kısmında ise die’lerin işlevsel olup gerekli spesifikasyonları karşılamasına rağmen “burn-in tests”te başarısız olabildiği aktarılıyor. Rapora göre Intel’in “fixed wafer-to-wafer yield issues” demesi, wafer’dan wafer’a sürecin daha tutarlı hale gelmesiyle lot-lot varyasyonunun azalmasına ve üretimin daha öngörülebilir olmasına işaret ediyor.

Yine de rapor, bunun “defect density has reached target levels,” “parametric yield is optimal” ve “overall economic yield is where Intel wants it to be” anlamına gelmediğini ifade ediyor. Buna karşılık, 18A için daha önce paylaşılan “7% per month for 18A” seviyesinde tutarlı bir verim artışı düzeyinin sağlanması durumunda, Intel’in hedeflerini öngörülebilir bir zaman aralığında yakalayabileceği aktarılıyor. Raporda ayrıca, Intel’in D1X development fab (muhtemelen module 3) ile Oregon’daki D1X ve Arizona’daki Fab 52 high-volume fab genelinde ayda yaklaşık 30,000 wafer starts kapasiteye ulaştığının belirtildiği ifade ediliyor.

Diğer taraftan rapor, Intel’in 18A ürünlerine ilişkin genel die yields ve parametric yields bilgisi olmadan, Intel’in yeterli sayıda Core Ultra 3 ‘Panther Lake’ ve Xeon 6+ ‘Clearwater Forest’ işlemcisini üretip üretemeyeceğinin değerlendirilemesinin zor olduğunu kaydediyor. Raporda ayrıca, yüksek hacimli üretim (HVM) için bir gelişim tesisinin kullanılmasının, başından beri HVM tasarımlı bir fabrikayı kullanmaya kıyasla daha maliyetli olduğuna dikkat çekiliyor. Buna rağmen BlueFin, Intel’in bir sonraki nesil 14A ( 1.4nm ) üretim sürecinde de benzer bir yaklaşımı sürdüreceğini savunuyor.

BlueFin’in iddiasına göre Intel “D1X the initial HVM fab for 14A,” planını yapıyor. Raporda, Intel’in Ohio One yarı iletken üretim tesisindeki Ohio’daki ilk fazın ise Ohio’da 14A çipleri için ikinci HVM tesisi olarak kullanılacağı belirtiliyor. Raporda dile getirilen zamanlama, Intel’in 14A ile üretilen yongalarda yüksek hacimli üretimi 2029 yılında başlatmayı hedeflediğini yakın zamanda doğruladığını da içeriyor.

Son olarak raporda, Ohio One’ın ilk fazı (Mod 1) için 2030 yılında tamamlanmasının öngörüldüğü aktarılıyor. Bu tamamlanmanın ardından tesisin devreye girişinin “between 2030 and 2031,” aralığında olacağı Intel tarafından belirtildiği ifade ediliyor. Değerlendirmeler, 18A rampı ve 14A yol haritası arasındaki geçiş döneminde üretim kapasitesi planlamasının önemine işaret ediyor.

Haberin Editörü: Bade UTKU

Kaynak: Haber Merkezi